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主要特点
- 动态功耗降低40%
- 静态功耗降低90%
- 单芯片、单电源工作、上电即用
- 针对高性能而优化
- 成本优化、可重编程、非易失性存储
- 支持1.2 V或1.5V内核电压
- 广泛的I/O电压范围,最低为1.2 V
- 创新的Flash*Freeze技术实现工作模式到静态模式的瞬间转换
- 所有器件均可免费使用ARM Cortex-M1处理器核
- 具有系统内编程 (ISP) 功能,且可选配片上AES解密引擎
- 固件错误免疫能力
产品列表
| ProASIC3L Family |
A3P250L |
A3P600L |
A3P1000L |
A3PE3000L |
| 具有ARM Cortex-M1功能的 |
|
M1A3P600L |
M1A3P1000L |
M1A3PE3000L |
| 系统门密度 |
250 k |
600 k |
1 M |
3 M |
| 逻辑单元(VersaTiles)/触发器 (D-FF) 个数 |
6,144 |
13,824 |
24,576 |
75,264 |
| RAM 容量 kbits (1,024 bits) |
36 |
108 |
144 |
504 |
| 4,608 位RAM块数 |
8 |
24 |
32 |
112 |
| FlashROM 位数 |
1 k |
1 k |
1 k |
1 k |
| 系统内可编程性安全措施 (AES) ISP2 |
Yes |
Yes |
Yes |
Yes |
| CCC中内置PLL个数 |
1 |
1 |
1 |
6 |
| 全局网络 (VersaNet) 个数 |
18 |
18 |
18 |
18 |
| I/O 标准 |
Std.+/LVDS |
Std.+/LVDS |
Std.+/LVDS |
Pro |
| I/O 接口组个数 (包括JTAG接口) |
4 |
4 |
4 |
8 |
| VCC=1.2 V时的典型静态 / Flash*Freeze模式功耗 (mW) |
0.40 |
0.66 |
1.06 |
3.30 |
| VCCI=1.5
V时的典型睡眠功耗 (µW) |
11 |
11 |
11 |
22 |
| 速度级别 |
Std., -1 |
Std., -1 |
Std., -1 |
Std., -1 |
| 温度级别 |
C, I |
C, I |
C, I |
C, I |
| 单端 I/O / 接口/差分端口对数量1 |
| VQ100 |
68/13 |
|
|
|
| PQ208 |
151/34 |
154/35 |
154/35 |
147/65 |
| FG144 |
97/24 |
97/25 |
97/25 |
|
| FG256 |
157/38 |
177/43 |
177/44 |
|
| FG324 |
|
|
|
221/110 |
| FG484 |
|
235/60 |
300/74 |
341/168 |
| FG896 |
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620/310 |
- 注:
-
- 提前发布的信息可能有变
- AES不可用于带ARM功能的ProASIC3L器件
ProASIC3L器件采用成熟的Flash*Freeze技术,使设计人员无需添加其它部件,即可迅速将器件从动态工作模式切换到静态模式 (在1 µs之内),因而无需增加I/O或时钟管理电路。通过在闲置期间快速进入和退出Flash*Freeze模式,能够减少动态功耗。ProASIC3L以单电源工作 (1.2 V或1.5 V内核电压),提供安全的系统内编程 (ISP) 功能,以实现非常有价值的现场编程升级。
ProASIC3L系列支持多达300万系统门,具有先进的I/O选项、用户非易失性内存、Level 0上电即用功能 (LAPU),以及业界最安全的AES加密引擎。

相比传统的高性能FPGA设计,ProASIC3L的动态功耗降低40% 以上,静态功耗降低90%。

搜寻 ProASIC3L的IP 核
| Technology Solutions |
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Flash*Freeze技术经优化,采用1.2V内核电压,能够降低动态功耗和总体功耗,同时满足严苛的性能要求。 » 更多信息 |
| 低成本 |
全球成本最低的FPGA产品,具有业界领先的单位成本和最低的总体系统成本。 |
| 高性能 |
增强的高性能体系架构,工作频率高达350 MHz,具有同级最佳的逻辑利用率。 |
| 单芯片 |
无需使用额外的配置非易失性内存,在每次系统上电时将配置数据加载到器件,因而成本更低,安全性和系统可靠性更高。 |
| 安全的系统内可编程性 |
支持内置AES加密引擎和业界领先的AES-128位 Flash密钥,可在公共网络上采用加密位流实现安全的远程现场升级。 |
| 用户非易失性内存 |
片上内置用户可存取的1,024位非易失性FlashROM,可用于各种系统应用。 |
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极大地简化了系统设计,因而能够完成关键的系统设置任务并可减少材料清单成本和电路板占位面积。 » 更多信息 |
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利用128位 Flash 锁和Flash技术的固有优势,可为可编程逻辑设计提供最坚固的安全保护。
» 更多信息 |
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与基于SRAM的FPGA不同,Flash 单元的配置内容不会被高能中子改变,因而具有抗辐射能力。
» 更多信息 |
ProASIC3L和具M1功能的ProASIC3L的入门级开发套件提供了完整的评测解决方案,用于检查低功耗ProASIC3L器件和和具M1功能的低功耗ProASIC3L器件中的ARM Cortex-M1核。ProASIC3L和具M1功能的ProASIC3L的开发板内置了电压调节器,能够独立设置某些I/O组的电压。ProASIC3L器件可在低至1.2V或1.5 V内核电压下工作,但编程时要求处理器内核电压维持在1.5 V。每块板上都带有电压调节电路,能控制处理器内核电压。处理器内核电压可用手工或以电控方式切换到编程电压和返回到功耗最低的1.2V正常工作电压。
器件预编程采用Silicon Sculptor 3 和Silicon Sculptor II编程器,对于系统内编程 (ISP),则可使用基于PC的低成本FlashPro3编程器。
针对ProASIC3L的跟踪和调试,Synplicity 公司提供逻辑分析软件Identify AE。